方正微电子

深圳方正微电子有限公司成立于2003年12月，公司致力于推动电源管理芯片和新型电力电子器件产业化，方正微电子拥有两条6英寸晶圆生产线，年产能达60万片， 0.35微米/6英寸工艺批量生产能力跃居国内行业前列，专注于为客户提供功率分立器件（如DMOS、IGBT、SBD和FRD）和功率集成电路（如BiCMOS、BCD和HVCMOS）等领域的晶圆代工服务。
2012年，与电子科技大学陈星弼院士合作建立“方正微电子功率器件和功率集成电路院士工作站”，奠定了方正微电子在电力电子领域的技术领先地位。方正微电子积极推行业务国际化策略，成功打入欧美市场。方正微电子将持续聚焦智能手机、平板电脑、变频家电、LED照明以及新能源汽车等新兴领域对功率半导体的市场需求，为客户创造价值。
2015年起，公司研发团队率先进入宽禁带半导体这一新兴领域，奠定了方正微电子在该领域国内领先的技术基础。GaN和SiC是宽禁带半导体的重要材料，在2018年方正微电子成为国内首家成功研发并量产6英寸SiC器件的厂商，其中13个系列产品已进入商业化成熟应用领域，产品性能达到国际先进水平；而在GaN方面，方正微电子的 6英寸Si基GaN HEMT器件和SBD器件也在2018年成功量产，耐压可达700V以上，性能全国领先。
2019年公司在宽禁带半导体领域积累了丰富的经验并取得了优异的成绩，并与广东省5G中高频器件创新中心全面开展战略合作。面对激烈的国内外市场竞争，半导体制造行业发展任重而道远，方正微电子继续保持持续创新精神，方方正正做人，实实在在做事，同“芯”协力，矢志成为国内功率分立器件和功率集成电路行业的领航者。